Lettres
Cette liste vous donne les spécialités et domaines de compétences de chacun des directeurs.trices potentiel.le.s de l'équipe de Lettres.
1 UNIVERSITÉ BORDEAUX MONTAIGNE ? UFR HUMANITÉSPLET, Florence : Littérature médiévale ? Onomastique littéraire ? Moyen Âge dans l'imaginaire moderne ? Fantasy ? Bande dessinée, romans graphiques franco- ... Maître de conférences en études cinématographiques - ACCRA? TD - Analyse filmique : Théorie du cinéma contemporain, L3. ? TD - Méthodologie de la recherche : Théorie du jeu de l'acteur, L3. ? TD - Méthodologie et ... Vers l'établissement d'un protocole de traitement des dysfonctions ...l'appareil EROS Clitoral Therapy Device (CTD ; Billups et al, 2001 ... Sex differences in sexual fantasy patterns. Personality and. ledroit day - GlenatRéférence dans le monde de l'illustration et de la bande dessinée de fantasy, Olivier Ledroit signe de son dessin baroque et fouillé une réécriture jouissive ... SiHP22N65E E Series Power MOSFET - VishayIDM. IAS. Avalanche energy L=0.3mH. C. EAS. TJ, TSTG. Symbol t ? 10s. Steady-State ... tD(off). 20 ns tf. 5 ns trr. 37 ns. Qrr. 210. nC. Body Diode Reverse ... NTPF360N65S3H - MOSFET ? Power, N-Channel, SUPERFET® III ...IDM Enterprise Specialized in Power Semiconductors ... IAS. 39. A. Single Pulse Avalanche Energy 2). EAS ... td(on). 16. nS. Turn-On Rise Time at VDD=30V, ID ... NIFT Placement Brochure 2024Peak Drain Current, Pulsed. IDM. 612. A. Avalanche Current. IAS. 52. A. Single Pulse Avalanche Energy 1). EAS. 680. mJ. Power Dissipation. Tc = 25?. Ptot. Semantic-based Building Information Modelling (BIM)The UTC F05N60-TD is a N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET with Fast Body Diode, is designed high voltage, high speed power switching ... AOSP62530These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to. SR46N06T5The test condition is VDD=25V, VGS=10V, IAS=24A, L=0.1mH. 3. The power dissipation is limited by 150oC junction temperature. 4. The data is theoretically ... PDB3012HX4HMMF50R280P is power MOSFET using Magnachip's advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. P3MNC6P3 B01 DC-01555 - novitronicThe data is theoretically the same as ID and IDM , in real applications , should be limited by total power dissipation. Parameter. BVDSS. RDS(ON). VGS(th). IDSS.
Autres Cours: