1. Principe: Effet transistor

Le signal d'entrée à la fig-18-a, la tension vbe(t) et le courant ib(t) aux fig-18-b et 18-c et enfin le courant ic(t) à la fig-18-d. On distingue typiquement 4 ...







les transistors bipolaires de puissance
La tension de saturation émetteur-base VBEsat est un élément important pour le calcul du circuit d'attaque de base. Elle dépend essentiellement de l'amplitude ...
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Galway County Council Archives
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Transistors bipolaires en commutation